无锡新洁能功率半导体有限公司 是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。
公司专注于MOS半导体功率器件（沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波）RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售及服务。拥有自主知识产权和“新功率”、“NCE Power”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。
新洁能股份有限公司 拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1500余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。
MOSFET的工作原理
为了使N沟道MOSFET裸片工作，需要在G和S之间加一个正电压VGS，在D和S之间加一个正电压VDS，以产生正向工作电流ID。工作电流ID可以通过改变VGS的电压来控制。如果不先接VGS（即VGS=0），则在D、S电极之间加一个正电压VDS，漏极D和衬底部之间的pN结方向反了，所以漏源不能通电。如果在栅极G和源极S之间加一个电压VGS。此时栅极和衬底部可以看成器件的两块极板，以氧化绝缘层作为电容的介质。添加VGS后，在绝缘层与栅极的界面上感应出正电荷，而在绝缘层与p型衬底部的界面上感应出负电荷。该层感应出的负电荷与p型底部中的多数载流子（空穴）的极性相反，故称为“反型层”。该反型层可以连接漏极和源极的两个N型区。连接形成导电通道。当VGS电压过低时，感应出的负电荷较少，会被p型衬底中的空穴中和，因此此时漏极和源极之间仍然没有电流ID。当VGS增加到一定值时，感应的负电荷连通两个分开的N区，形成N沟道。这个临界电压称为开启电压（或阈值电压，thresholdvoltage），用符号VT表示（一般规定ID=10uA时的VGS为VT）。当VGS继续增.大时，负电荷增.大，导电沟道扩大缩小，ID也增.大，呈较好的线性关系，这条曲线称为传递特性。因此，在一定范围内，可以认为通过改变VGS来控制漏源极间的电阻，达到控制ID的效果。由于这种结构在VGS=0时ID=0，所以这种MOSFET裸片被称为增.强型。另一种MOSFET裸片在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。Vp为夹断电压（ID=0）。耗尽型和增.强型的主要区别在于SiO2绝缘层中存在大量的正离子，从而在p型衬底部的界面处感应出更多的负电荷，即p型硅在两个N型区域的中间。内部形成N型硅薄层形成导电沟道，所以当VGS=0时，VDS作用时有一定的ID（IDSS）；当VGS有电压（可以是正电压或负电压）时，改变感应负电荷的数量，从而改变ID的大小。ID=0时Vp为-VGS，称为夹断电压。
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以优秀的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供业内lx的雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。
N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
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