1、SLC全称为Single-LevelCell,单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构,其每一个单元储存一位数据。
2、SLC闪存始终处于以下两种状态之一:已编程(0)或已擦除(1)。状态由施加到电池的电荷水平决定。因为只有两种选择,零或一,可以快速解释单元的状态,减少误码的机会。单个SLC存储单元在发生故障之前可以维持大约100,000次写入操作。一旦一个单元被写入其限制,该单元就会开始忘记存储的内容,并且可能会发生数据损坏。
1、SLC全称为Single-LevelCell,单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构,其每一个单元储存一位数据。
2、SLC闪存始终处于以下两种状态之一:已编程(0)或已擦除(1)。状态由施加到电池的电荷水平决定。因为只有两种选择,零或一,可以快速解释单元的状态,减少误码的机会。单个SLC存储单元在发生故障之前可以维持大约100,000次写入操作。一旦一个单元被写入其限制,该单元就会开始忘记存储的内容,并且可能会发生数据损坏。